Indiako zientzialariek eredu berri bat garatu dute alde biko eguzki-moduluetan kutsadura-galerak aurreikusteko

Indiako Ingeniaritza Zientzia eta Teknologia Institutuko (IIEST Shibpur) ikertzaileek fisikan oinarritutako eredu berri bat garatu dute alde biko moduluen aurreko eta atzeko gainazaletan hauts metaketa kalkulatzeko. "Eredu hau teilatuko lantegietan zein lantegi komertzialetan ere aplikagarria da", esan du Saheli Sengupta ikertzaileak. "Indian, oraindik ez dago alde biko moduluen fabrika handiagoa, beraz, ezin dugu eredua baliozkotu gailu handiagoetan. Hala ere, hau da gure ikerketa plana Indiako eta atzerriko lantegi handietan ikerketa bera egitea helburu duena".

Printzipio eredugarriak

Proposatutako ereduak sarrerako parametro batzuk hartzen ditu kontuan, hala nola, partikularen kontzentrazioa (PM), panelaren okertzea, eguzki-intzidentzia-angelua, eguzki-erradiazioa, albedoa eta modulu fotovoltaikoaren zehaztapenak. Eguraldi-parametroak ere kontuan hartzen ditu, hala nola haizearen norabidea, haizearen abiadura eta giro-tenperatura.

Eredu honek modulu fotovoltaikoen aurrealdeko gainazalean hauts metaketa kalkulatzen du, sedimentazio, errebote eta berrasekepen fenomenoak kontuan hartuta. Sedimentazioak lurrera erortzen den hautsari egiten dio erreferentzia, erreboteak airera itzultzen diren partikulak eta berraseketeak haizeak eta airearen turbulentzia bezalako mekanismoek altxatutako partikulak finkatzeari.

Ondoren, ereduak gainazalean hauts metaketa kalkulatzen du, sedimentazio, errebote eta berrasekepen fenomenoak kontuan hartuta. Atzealdean partikulen deposizio mota desberdinak kontuan hartu dira, aire-fluxuarekin mugitzen diren partikulak eta gainazaletik altxatutako partikulak barne. Ondoren, ereduak transmitantzia kalkulatzen du eta materialak argia pasatzen uzteko duen gaitasuna ebaluatzen du aurreko emaitzen arabera. Ereduak zentral fotovoltaikoen potentzia-sorkuntza zehazten du habe-erradiazioa, erradiazio difusa eta lurrean islatutako erradiazioa batuz.

Behaketaren emaitzak

Ikertzaileek esan dutenez, "behaketen arabera, kristalezko substratuaren atzealdeko hautsaren gainazaleko dentsitatea 0,08 g/m2 34 egunetan, 0,6 g/m2 79 egunetan eta 1,8 g/m2 2126 egunetan desbideratzen da. ereduetan oinarritutako kalkuluak %10, %33,33 eta %4,4, hurrenez hurren». Beira-substratuaren atzeko gainazalean metatutako hautsaren gainazaleko dentsitatea aurreko beira-gainazalekoaren 1/6 ingurukoa da, ereduak balioztatu duena ere. "Gainera, zientzialariek ikusi dutenez, ikusitako DC potentziaren eta kalkulatutako DC potentziaren arteko errorea atzeko aldean % 5,6koa da eta aurrealdean % 9,6koa da.

"Beharrezkoa da eredu hau baliozkotzea leku ezberdinetako ahalmen handiko alde biko fabriketan", ondorioztatu dute jakintsuek.